[发明专利]制作快闪存储器的方法

摘要

本发明有关一种制作快闪存储器的方法，特别是有关一种在具有埋藏导线的快闪存储器上制作接触窗的方法。本发明利用一次离子布植制程以形成埋藏导线于如浅沟渠隔离的隔离区之下。接下来在此埋藏导线上形成一介电层，并在此介电层内形成一顶部较宽而底部较窄的接触窗，最后在接触窗内形成一多晶硅层以连接不同层的不同元件。此埋藏导线连接邻近的主动区域并取代连接传统主动区域的接触(Contact)与导线。此接触窗的底部与此隐藏导线相互连接。

主权项

1.一种制作快闪存储器的方法，其特征在于，至少包括下列步骤：提供一底材，其中该底材包括一第一介电层；形成一渠沟进入该底材内以形成一隔离区于该底材内；形成一光阻层覆盖该底材；转移一导线图案进入该光阻层以曝露出该底材并布植一第一离子进入该底材以一倾斜角以形成一埋藏导线于该底材内；移除该光阻层；形成一第二介电层于该埋藏导线上并填满该渠沟；形成一第一基极于该第一介电层上；形成一氧/氮/氧层于该第一基极上；在该第一介电层的两侧的底材内制作一源极与一漏极；移除部分的该第二介电层以在该介电层内形成一接触窗，其中该接触窗的一侧壁为一倾斜的状态且该接触窗的一底部连接于该埋藏导线；藉由一第二离子轰击该接触窗的该侧壁与该底部；及形成一多晶硅层于该接触窗内及在该底材与该氧/氮/氧层上并填满该接触窗；及移除部分的多晶硅层以在氧/氮/氧层上形成一第二基极，并同时在该接触窗上形成一连接区域。