[发明专利]去除半导体生产中残留物用的组合物和方法有效
| 申请号： | 02141901.9 | 申请日： | 2002-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1465687A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | W·M·李;K·叶;X－D·丁;D·J·马朗伊 | 申请（专利权）人： | EKC技术公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;H05K3/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王景灏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种清除聚合原料和蚀刻残余物用的去除剂，含有2－(2－氨基乙基氨基)－乙醇和选择性地含有另一种2个碳原子键合的链烷醇胺化合物，没食子酸或儿茶酚，水，极性有机溶剂和羟胺。一种清除基片如含钛金属的集成电路半导体薄片上的光致抗蚀剂或其它残余物的方法，包括将基片与上述组合物接触，时间和温度足以能够去除基片上的光致抗蚀剂或其它残余物。在上述组合物和方法中使用的2－(2－氨基乙基氨基)－乙醇提高了残余物的清除能力，而对基片上的钛或其它金属没有侵害。该组合物优选的闪点大于约130℃。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 半导体 生产 残留物 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，其中含有2-(2-氨基乙基氨基)-乙醇和水，该组合物基本不含有极性有机溶剂，其中所述的组合物能清除含金属和/或金属合金部分和/或层的基片上的有机的、有机金属的和金属氧化物的残余物。
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