[发明专利]同一源区半导体光放大器、电吸收调制器集成器件无效
| 申请号： | 02141026.7 | 申请日： | 2002-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1467889A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 邱伟彬;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种同一源区偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器集成器件，包括：一n型重掺杂磷化铟衬垫；一负电极，该负电极制作在衬垫的下方；一n型掺杂磷化铟缓冲层，该缓冲层制作在衬垫上；一无掺杂铟镓砷磷下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一无掺杂有源层，该有源层制作在下限制层上；一无掺杂铟镓砷磷上限制层，该上限制层制作在有源层上；一p型掺杂磷化铟盖层，该盖层制作在上限制层上；一电吸收调制器部分，该调制器部分制作在盖层上的一侧；一半导体放大器部分，该半导体放大器部分制作在盖层上的另一侧；在电吸收调制器部分与半导体放大器部分之间有一隔离沟，该隔离沟是50μm；在上述结构的两侧制作有二氧化硅/二氧化钛增透膜。 | ||
| 搜索关键词： | 同一 半导体 放大器 吸收 调制器 集成 器件 | ||
【主权项】：
1、一种同一源区偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器集成器件，其特征在于，该器件包括：一n型重掺杂磷化铟衬垫；一负电极，该负电极制作在衬垫的下方一n型掺杂磷化铟缓冲层，该缓冲层制作在衬垫上；一无掺杂铟镓砷磷下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一无掺杂有源层，该有源层制作在下限制层上；一无掺杂铟镓砷磷上限制层，该上限制层制作在有源层上；一p型掺杂磷化铟盖层，该盖层制作在上限制层上；一电吸收调制器部分，该调制器部分制作在盖层上的一侧；一半导体放大器部分，该半导体放大器部分制作在盖层上的另一侧；在电吸收调制器部分与半导体放大器部分之间有一隔离沟，该隔离沟是50μm；在上述结构的两侧制作有二氧化硅/二氧化钛增透膜。
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