[发明专利]防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法有效
申请号: | 02140374.0 | 申请日: | 2002-07-01 |
公开(公告)号: | CN1466229A | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 李信宏;苏志鸿;郑逸圣 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L51/40 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法,此方法首先提供一基板,其中基板上已形成有数个呈数组排列的薄膜晶体管,且每一薄膜晶体管包括一栅极、一源极、一漏极以及一信道层。接着,在基板上方形成一保护层,并平坦化此保护层。之后,在保护层中形成一开口,暴露出漏极。然后,在保护层上与部分开口内形成一阳极层,以使漏极与阳极层电性连接。之后,再于基板上方依序形成一发光层以及一阴极层。 | ||
搜索关键词: | 防止 主动 有机 发光二极管 器件 阴极 产生 断裂 方法 | ||
【主权项】:
1、一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法,其特征在于:包括:提供一基板,其中该基板上已形成有复数个呈数组排列的薄膜晶体管,且每一该些薄膜晶体管包括形成有一栅极、一信道层、一源极以及一漏极;在该基板上方形成一保护层,覆盖住该些薄膜晶体管;平坦化该保护层;在该保护层中形成一开口,暴露出该漏极;在该保护层上与部分该开口内形成一阳极层;在该基板上方形成一发光层,覆盖该阳极层;在该发光层上形成一阴极层。
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