[发明专利]有源矩阵寻址反射式LCD及其制作方法有效

专利信息
申请号: 02140185.3 申请日: 2002-07-03
公开(公告)号: CN1466007A 公开(公告)日: 2004-01-07
发明(设计)人: 坂本道昭;山中裕一;池野英德;松野文彦;吉川周宪 申请(专利权)人: 日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G02F1/1343
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;袁炳泽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了改进制作有源矩阵寻址反射式液晶显示器的处理步骤,向位于液晶层一侧的下基板提供两个相互平行、并与液晶层平行的电极。两个电极中的一个在电气上与分配给一个象素的开关元件的源极相连接,另一个电极在电气上与一恒电势源相连接。两个电极中的每一个都具有光反射特性,这样就能在对带有上述电极的绝缘层进行制图处理时降低曝光强度。
搜索关键词: 有源 矩阵 寻址 反射 lcd 及其 制作方法
【主权项】:
1.有源矩阵寻址反射式LCD(液晶显示器),包括有:透明的第一基板(74),第二基板(56),在所述第二基板上形成的下绝缘膜(60),分别向每一个象素提供的许多开关元件(84),表面为不平整构型的绝缘层(66,68),和在所述绝缘膜上形成的、且表面具有与所述绝缘膜不平整表面有关的不平整构型的反射膜(70);以及在所述第一基板和所述第二基板之间提供的液晶层,其特征为提供给每一个象素、且位于提供所述反射膜区域里的上电极(62),所述上电极在电气上与开关元件的源极相连接;以及在所述第二基板与所述下绝缘膜之间提供的下电极(58),所述下电极与所述上电极形成存储电容。
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