[发明专利]液晶显示器的有源矩阵基板及其制造方法有效
| 申请号： | 02140183.7 | 申请日： | 2002-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1466006A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 前田明寿;田中宏明;木村茂;木村聪 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/1343;G03F7/00;G03F7/26;HO1L297/86 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;袁炳泽 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的TFT组成。一种双层膜包括下层的铝钕(Al－Nd)合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接TFT的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Al－Nd合金和上层的高熔点金属。该三层膜形成用于连接TFT的第二互连线。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示器 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，包括：基板；矩阵阵列的薄膜晶体管(TFT)，它们被布置于所述基板上的显示区域中；双层膜，该双层膜包括下层的铝钕(Al-Nd)合金和上层的高熔点金属，所述双层膜形成第一互连线以与所述TFT相连；和三层膜，该三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述Al-Nd合金和上层的所述高熔点金属，所述三层膜形成第二互连线以与所述TFT相连。
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