[发明专利]苝衍生物的合成方法、苝衍生物以及有机EL元件有效
| 申请号： | 02140158.6 | 申请日： | 2002-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1394835A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 藤田徹司;荒健辅;井上铁司 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C07C15/20 | 分类号： | C07C15/20;C07C2/76;C07C2/86;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够获得高收率且制备效率优良的苝衍生物的制备方法，以及通过该制备方法得到的苝衍生物和使用该衍生物得到的有机EL元件。上述制备方法包括将下述式(1)表示的1，8－二卤代萘衍生物偶合，合成下述式(2)表示的苝衍生物。式中R1～R4、R11、R12以及R1′～R4′、R11′和R12′的定义如权利要求所述。 | ||
| 搜索关键词： | 衍生物 合成 方法 以及 有机 el 元件 | ||
【主权项】：
1、一种苝衍生物的合成方法，为了得到苝衍生物，将原料物质卤化，将该卤化的部位偶合，或者使用卤化的原料物质和硼化的原料物质，对这些卤化、硼化的部位进行铃木偶合，或者联用这两种方法。
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