[发明专利]半导体制冷式均衡充电方法及装置有效
申请号: | 02139803.8 | 申请日: | 2002-12-06 |
公开(公告)号: | CN1574538A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 袁翔;范汉强;王英健;王国庆;李朱光;范必双;邓华 | 申请(专利权)人: | 长沙交通学院;上海奥威科技开发有限公司;国家电动汽车试验示范区管理中心;范汉强 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02J15/00 |
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地址: | 410076*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种半导体制冷式均衡充电方法及装置,其方法是多个单体电池或超级电容组成的串联电池组或串联超级电容组与电源联接充电,每一个单体电池或超级电容两端并联一个半导体制冷式充电均衡电路,该电路中的过充电电流通过半导体制冷器制冷,冷却该单体电池或超级电容;半导体制冷式均衡充电装置是一个监控式制冷器,它由温度与电压监测器与电压变换驱动器电联接,两者均与单体电池或电容并联;电压变换驱动器又分别与半导体制冷器及电风扇电联接,半导体制冷器冷端设置在电池或电容处。本发明方法及装置的优点是在满足串联均衡充电的同时,半导体制冷器通过冷却改善了电池或电容的高、低温工作性能寿命,并且提高了充电能量的有效利用率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制冷 均衡 充电 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、半导体制冷式均衡充电方法,由多个电池或超级电容组成的串联电池组或串联超级电容组与电源联接充电,每一个单体电池或超级电容两端并联一个半导体制冷式充电均衡电路,电路通过调节充电电流实现均衡单体电池或超级电容充电,本发明方法的特征在于充电均衡电路中的过充电流通过半导体制冷器制冷,冷却该电路所并联的电池或超级电容。
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