[发明专利]全自动对准工艺制备晶体管的方法无效
| 申请号： | 02136376.5 | 申请日： | 2002-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1474440A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄风义 | 申请（专利权）人： | 黄风义 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201204上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制备半导体晶体管器件的方法，特别是利用全自动对准的工艺制备双极晶体管的方法，包括在衬底上淀积并刻蚀出拟设发射极，通过离子注入(或者淀积多晶硅)形成低电阻的外基极区；然后淀积介质层，并通过平面化工艺来暴露拟设发射极的部分，再在暴露的部分形成发射极。这样制备的晶体管其基极同发射极以及本征基极和外基极之间是全部自动对准的。本发明的方法同样适用于制备源漏区同栅极自动对准的场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 全自动 对准 工艺 制备 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用全自动对准工艺制备双极晶体管(HBT)的方法，包括：在衬底上淀积并刻蚀出拟设(dummy)发射极；在拟设发射极区外形成自对准的低电阻区外基极；淀积(deposit)介质隔离层，并通过平面化工艺来暴露拟设发射极的部分；刻蚀掉拟设发射极后再在暴露的拟设发射极部分形成发射极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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