[发明专利]集成电路器件和微机电组件的整体制造方法有效
| 申请号： | 02131994.4 | 申请日： | 2002-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1481011A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 杜硕伦;江禄山;朱世麟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;B81C1/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;楼仙英 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路器件及微机电组件的整体制造方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底，该半导体衬底分为集成电路区域以及微机电组件区域，且该集成电路区域形成有一集成电路器件；淀积一绝缘层于该集成电路区域以及微机电组件区域上；蚀刻该绝缘层，以分隔该集成电路区域以及微机电组件区域上的绝缘层，其中集成电路区域上的绝缘层为一内层介电层，且该微机电组件区域上的绝缘层作为一牺牲层；淀积一结构层于该微机电组件区域上；淀积一介电层于该结构层及该内层介电层上；于该介电层中形成多个介电层孔，以暴露出该集成电路区域与该微机电组件区域的接触区；以及于该介电层上淀积一金属层，该金属层填入该介电层孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 微机 组件 整体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件及微机电组件的整体制造方法，包括下列步骤：a)提供一半导体衬底，其中该半导体衬底分为集成电路器件区域以及微机电组件区域，且该集成电路区域形成有一集成电路器件；b)淀积一绝缘层于该集成电路区域以及微机电组件区域上；c)蚀刻该绝缘层，以分隔该集成电路区域以及微机电组件区域上的绝缘层，其中，集成电路区域上的绝缘层作为一内层介电层，且该微机电组件区域上的绝缘层作为一牺牲层；d)淀积一结构层于该微机电组件区域上；e)淀积一介电层于该结构层及该内层介电层上；f)于该介电层中形成多个介电层孔，以暴露出该集成电路区域与该微机电组件区域的接触区；以及g)于该介电层上淀积一金属层，且该金属层填入该介电层孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
