[发明专利]用于铁电薄膜的金属有机化学气相沉积和退火处理无效
申请号: | 02128590.X | 申请日: | 2002-08-13 |
公开(公告)号: | CN1401817A | 公开(公告)日: | 2003-03-12 |
发明(设计)人: | 李廷凯;潘威;许胜籐 | 申请(专利权)人: | 夏普公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/40 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 崔幼平,郑建晖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制造c轴定向的铁电薄膜的方法,其包括准备一衬底;通过金属有机化学气相沉积,其包括使用一前体溶液,沉积一铁电材料层,所述前体溶液在汽化器温度约为140-200℃具有约为0.1M/L的铁电材料浓度;以及将所述衬底和所述铁电材料层在约500-560℃温度下退火处理约30-120分钟。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 金属 有机化学 沉积 退火 处理 | ||
【主权项】:
1.一种制造c轴定向的铁电薄膜的方法,其包括:准备一衬底;通过金属有机化学气相沉积(MOCVD),其包括使用一前体溶液,沉积一铁电材料层,所述前体溶液在约为140-200℃的汽化器温度下具有约为0.1M/L的铁电材料浓度;以及将所述衬底和所述铁电材料层在约500-560℃温度下退火处理约30-120分钟。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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