[发明专利]表面处理装置有效
申请号: | 02128254.4 | 申请日: | 2002-08-06 |
公开(公告)号: | CN1405848A | 公开(公告)日: | 2003-03-26 |
发明(设计)人: | 江上明宏;池田真义;佐护康实;中川行人 | 申请(专利权)人: | 安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/11 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 这种表面处理装置具有反应器和磁板,在反应器中产生等离子体,并且安放通过等离子体处理其表面的基底,所述磁板用于产生分布在反应器内部空间内的点形尖突磁场,其中在所述内部空间内产生等离子体。磁板具有多个磁体。这些磁体按照蜂巢网格结构排列在平行面对基底表面的圆形平面内。各个磁体的一个磁极端面被布置在各个格点的位置上,所述格点在圆形平面上形成六边形。此外,两个相邻磁体的磁极端面极性彼此交替相反。磁板可以配有多个按照构成正方形的网格结构排列的磁体,并且某些排列在最外部区域的磁体的磁力(矫顽力)被降低。因而即使在外缘也尽可能地保持内部空间的点形尖突磁场的周期性,并且降低外缘处周期性被扰乱的区域的磁场分布的非对称性。 | ||
搜索关键词: | 表面 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种表面处理装置,所述表面处理装置配有反应器和磁板,在所述反应器中产生等离子体并且安放有通过所述等离子体处理其表面的处理对象,所述磁板用于产生分布在所述反应器内部空间内的点形尖突磁场,其中在所述空间内产生所述等离子体,其中所述磁板配有多个磁体,这些磁体被排列在平行面对所述处理对象表面的圆形平面内,每个磁体的一个磁极端面均被排列在一个格点的位置上,所述格点在所述圆形平面上形成六边形,并且两个相邻磁体的所述磁极端面极性彼此相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造