[发明专利]可应用自动对准金属硅化物的屏蔽式只读存储器的制造方法

摘要

本发明揭露了一种可应用自动对准金属硅化物的屏蔽式只读存储器的制造方法，其是在一半导体基底上依序形成一栅极氧化层、已定义的多个多晶硅栅极及侧壁间隙物，并对基底进行离子掺杂形成埋入位线；接着在半导体基底的存储单元数组区域的多晶硅栅极形成较厚的间隙壁，使其覆盖住存储单元数组区域内露出的基底，并藉此结构保护主动区域，如此即可将自动对准金属硅化物技术应用在屏蔽式只读存储器的制程中，进而在该等多晶硅栅极上方直接形成自动对准金属硅化物。

主权项

1.一种可应用自动对准金属硅化物的屏蔽式只读存储器的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，其分为外围区域及存储单元数组区域；在该基底上依序形成一栅极氧化层与一多晶硅层；定义该多晶硅层，并形成多个多晶硅栅极；在该等多晶硅栅极的侧壁上形成多个侧壁间隙物；利用该多晶硅栅极及该侧壁间隙物为屏蔽，对基底进行离子掺杂，形成一埋入位线；在该基底上覆盖一氧化层；对该氧化层进行回蚀刻，在外围区域的侧壁间隙物外侧形成氧化物间隙壁，并在该存储单元数组区域的相邻侧壁间隙物之间形成氧化物间隙壁而覆盖住露出的基底；在该存储单元数组区域上形成一图案化光阻，以覆盖住该区域上的各组件；去除外围区域的氧化物间隙壁，而后移去光阻；以及利用自动对准金属硅化物技术，在该外围区域及存储单元数组区域的多晶硅栅极上方形成自动对准金属硅化物。