[发明专利]高密度快闪存储器

摘要

本发明提供一种高密度快闪存储器，主要利用布植及蚀刻沟渠技术，先于一晶圆上分别制作出复数个间隔排列的柱状晶体管，并令每一个柱状晶体管具有四个垂直面，其中的一垂直面用来作为该高密度快闪存储器单元的基体与源极间的短路面，其他三个垂直面则分别用来制作一快闪存储器单元，使该等快闪存储器单元的晶体管的临界截止电压，不致因该基体与源极间电压的不同而改变，此外，由于在该等快闪存储器的单元布局上，彼此相隔的单元共用一条字元线，故该等快闪存储器单元的汲极，需采用间隔跳接方式连线，如此，即可在每一个柱状晶体管上制作出三个快闪存储器单元，以储存三个位元的数据，令所制作出的该快闪存储器单元具有高密度的存储特性。

主权项

1.一种高密度快闪存储器，其特征在于：主要在一晶圆上分别制作出复数个间隔排列的柱状晶体管，该等柱状晶体管共用同一源极，且各该柱状晶体管具有四个垂直面，其中一个垂直面用来制作快闪存储器单元的基体与源极间的短路面，其他三个面则分别用来制作成一个快闪存储器单元，使每一个晶体管上的三个快闪存储器单元共用一个汲极，且每一个晶体管上的位元线均以间隔跳接方式，间隔地与沿一坐标轴方向排列的该等汲极相连接，彼此相隔的单元则共用一字元线。