[发明专利]单电子多值存储器

摘要

本发明一种单电子多值存储器件，包括：具有面密度为N0的多个超小纳米浮栅；n个小控制栅极，该n个小控制栅极制作在浮栅上；在浮栅下面有MOS管的沟道和衬底；在浮栅和栅极之间有控制栅绝缘膜或控制栅绝缘膜电容Cctl；在浮栅和沟道之间有隧穿膜或隧穿结Ci；在沟道两极分别有源极和漏极；电子可以通过隧穿膜在超小纳米浮栅和沟道之间隧穿，也可以在相邻的超小纳米浮栅之间相互隧穿；n个小控制栅极上加n位二进制的输入信号，实现2n值存储。该器件可在室温条件现下工作，其基本工艺与目前的半导体集成电路工艺相兼容，可大规模集成，存储状态多值化可提高信息存储密度，可与现在的CMOS电路集成。适用于集成电路芯片、计算机、通信设备、科学仪器等信息处理和信息存储系统。

主权项

1、一种单电子多值存储器件，其特征在于，其中包括：具有面密度为N0的多个超小纳米浮栅；n个小控制栅极，该n个小控制栅极制作在浮栅上；在浮栅下面有MOS管的沟道和衬底；在浮栅和栅极之间有控制栅绝缘膜或控制栅绝缘膜电容Cat1；在浮栅和沟道之间有隧穿膜或隧穿结Ci；在沟道两极分别有源极和漏极；电子可以通过隧穿膜在超小纳米浮栅和沟道之间隧穿，也可以在相邻的超小纳米浮栅之间相互隧穿；n个小控制栅极上加n位二进制的输入信号，实现2n值存储。