[发明专利]电路装置及其制造方法有效
申请号: | 02123154.0 | 申请日: | 2002-06-19 |
公开(公告)号: | CN1392601A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 五十岚优助;坂本则明;小林义幸;中村岳史 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧,马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 目前将具有导电图案的挠性板作为支承基板采用,在其上安装半导体元件,开发将其整体模装的半导体装置。这时会产生以下问题,不能形成多层配线结构、和在制造工序的绝缘树脂板的弯曲显著。本发明采用以绝缘树脂2粘合第一导电膜3和第二导电膜4得到的绝缘树脂板,以第一导电膜3形成第一导电配线层5,以第二导电膜4形成第二导电配线层6,二者以多层配线装置12连接。半导体元件7固定在覆盖第一导电配线层5的外敷层树脂8上,这样,以第一导电配线层5和第二导电配线层6实现多层配线结构。另外由于有厚厚地形成的第二导电膜4,所以可防止热膨胀系数的不同产生的弯曲。 | ||
搜索关键词: | 电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电路装置,其特征在于,包括:第一导电膜,第二导电膜,将所述第一导电膜和第二导电膜粘接为板状的绝缘树脂,蚀刻所述第一导电膜形成的第一导电配线层,蚀刻所述第二导电膜形成的第二导电配线层,在所述第一导电配线层上电绝缘地固定的半导体元件,在所需部位贯通所述绝缘树脂将所述第一导电配线层和所述第二导电配线层连接的多层连接装置,覆盖所述第一导电配线层及所述半导体元件的密封树脂层,设置在所述第二导电配线层的所需部位的外部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造