[发明专利]浅沟道隔离物的制造方法及部分去除氧化层的方法有效
| 申请号： | 02123098.6 | 申请日： | 2002-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1464546A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李培瑛;吴昌荣;何慈恩;陈逸男;苏显文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种浅沟道隔离物的制造方法，首先，提供一形成有沟道(其深宽比例如大于3)的半导体基底。然后顺应性地在所述沟道的侧壁与底部以及所述半导体基底的表面形成一氧化层，接着，利用旋转喷洒方式在所述沟道填入液体蚀刻遮蔽物，以当作蚀刻遮蔽物，其具有第一密度。其次，利用旋转喷洒方式在所述半导体基底表面施以蚀刻剂，去除部分所述氧化层，以露出所述半导体基底的上表面并且留下所述沟道底部的氧化层，其中所述蚀刻剂具有第二密度，而所述第二密度小于所述第一密度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 隔离 制造 方法 部分 去除 氧化 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟道隔离物的制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：提供一形成有沟道的半导体基底；顺应性地在所述沟道的侧壁与底部以及所述半导体基底的表面形成一氧化层；利用旋转喷洒方式在所述沟道填入液体蚀刻遮蔽物，其具有第一密度；以及利用旋转喷洒方式在所述半导体基底表面施以蚀刻剂，去除部分所述气化层，以露出所述半导体基底的上表面并且留下所述沟道底部的氧化层，其中所述蚀刻剂具有第二密度，而所述第二密度小于所述第一密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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