[发明专利]避免具间隙壁的接触窗中顶部微距变大的方法无效
申请号: | 02123096.X | 申请日: | 2002-06-12 |
公开(公告)号: | CN1464531A | 公开(公告)日: | 2003-12-31 |
发明(设计)人: | 朱倍宏 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/768 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤;陈红 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种避免具间隙壁的接触窗中顶部微距变大的方法。首先,在基底上依序形成一第一介电层、一蚀刻停止层及一光阻图案层。接着,以光阻图案层作为罩幕来蚀刻此蚀刻停止层及第一介电层以形成一接触窗。然后,在蚀刻停止层上及接触窗表面顺应性形成一第二介电层,并接着使用氧气、氟碳气体及氧化碳气体作为蚀刻反应气体来非等向性蚀刻第二介电层,以在接触窗侧壁形成一间隙壁。其中氧气与氟碳气体的流量分别在2-6sccm及4-8sccm的范围。由于蚀刻停止层为氮氧化硅层,且上述蚀刻反应气体对其蚀刻率低,可避免顶部微距变大而提高组件可靠度。 | ||
搜索关键词: | 避免 间隙 接触 顶部 变大 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成具间隙壁的接触窗的方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一基底,该基底表面依序覆盖有一第一介电层、一蚀刻停止层及一光阻图案层;以该光阻图案层作为罩幕来蚀刻该蚀刻停止层及该第一介电层,以形成一接触窗并露出该基底表面;在该蚀刻停止层上及该接触窗表面顺应性形成一第二介电层;以及非等向性蚀刻该第二介电层,以在该接触窗侧壁形成一间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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