[发明专利]利用掩膜使非晶硅结晶的方法有效
| 申请号： | 02122042.5 | 申请日： | 2002-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1388564A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 郑允皓 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐金国,陈红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种按序横向固化掩膜,包括具有由第一狭缝分开的多个第一条的第一区。该掩膜还包括具有由第二狭缝分开的多个第二条的第二区。该第二条与第一条垂直。还包括具有由第三狭缝分开的多个第三条的第三区,其中第三条相对第一条横向设置。第四区,具有多个第四条和第四条之间的多个第四狭缝,其中第四条相对于第二条横向设置。采用该掩膜经多次移动掩膜并多次重叠辐射而进行按序横向固化。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 掩膜使非晶硅 结晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种按序横向固化掩膜，包括：第一区，具有由第一狭缝分开的多个第一条；第二区，具有由第二狭缝分开的多个第二条，其中多个第二条与多个第一条垂直；第三区，具有由第三狭缝分开的多个第三条，其中第三条与第一条平行；第四区，具有由第四狭缝分开的多个第四条，其中第四条与第二条平行。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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