[发明专利]利用掩膜使非晶硅结晶的方法

权利要求书

1.一种按序横向固化掩膜，包括：

第一区，具有由第一狭缝分开的多个第一条；

第二区，具有由第二狭缝分开的多个第二条，其中多个第二条与多个第一条垂直；

第三区，具有由第三狭缝分开的多个第三条，其中第三条与第一条平行；

第四区，具有由第四狭缝分开的多个第四条，其中第四条与第二条平行。

2.如权利要求1中所述的按序横向固化掩膜，其中第一、第二、第三和第四条由光遮蔽膜构成。

3.如权利要求1中所述的按序横向固化掩膜，其中第一、第二、第三和第四条的宽度分别小于或等于第一、第二、第三和第四狭缝的宽度。

4.如权利要求1中所述的按序横向固化掩膜，其中第二区设置在第一和第三区之间。

5.如权利要求1中所述的按序横向固化掩膜，其中第三区设置在第一和第二区之间。

6.如权利要求1中所述的按序横向固化掩膜，其中第一区挨着第四区。

7.一种非晶硅膜结晶方法，采用掩膜进行按序横向固化来结晶，所述掩膜包括具有多个第一条和位于第一条之间的多个第一狭缝的第一区，具有多个第二条和位于第二条之间的多个第二狭缝的第二区，其中多个第二条垂直于多个第一条，以及包括具有多个第三条和位于第三条之间的多个第三狭缝的第三区，其中该第三条和第三狭缝分别与第一狭缝和第一条相对应，还包括具有多个第四条和位于第四条之间的多个第四狭缝的第四区，其中第四条和第四狭缝分别与第二狭缝和第二条相对应，该方法包括：

将掩膜设定在具有非晶硅膜的基板之上；

通过掩膜对非晶硅膜施加激光束，从而使得与第一、第二、第三和第四狭缝相对应的部分结晶；

按照掩膜的四分之一宽度移动带有结晶部分的基板；以及

在基板移动掩膜的四分之一宽度之后，重复对非晶硅膜施加激光束。

8.如权利要求7的方法，其中激光束在非晶硅膜的一个区域上辐射四次。

9.如权利要求7的方法，其中第一、第二、第三和第四条由光遮蔽膜构成。

10.如权利要求7的方法，其中第一、第二、第三和第四条的宽度分别小于或等于第一、第二、第三和第四狭缝的宽度。

11.如权利要求7的方法，其中按序横向固化掩膜按序设置，从而第二区设置在第一和第三区之间。

12.如权利要求7的方法，其中该掩膜设置成为使得第三区设置在第一和第二区之间。

13.一种硅膜结晶方法，采用掩膜进行按序横向固化来结晶，所述掩膜包括具有多个第一条和第一狭缝的第一区，具有多个第二条和第二狭缝的第二区，其中多个第二条垂直于多个第一条，以及包括具有多个第三条和第三狭缝的第三区，其中该第三条平行于第一条，还包括具有多个第四条和第四狭缝的第四区，其中第四条平行于第二条，该方法包括：

将掩膜设定在具有硅膜的基板之上；

通过掩膜对硅膜施加激光束，从而使得与第一、第二、第三和第四狭缝相对应的部分结晶；

按照掩膜的四分之一宽度将硅膜相对于掩膜而移动；以及

在基板移动掩膜的四分之一宽度之后，重复对硅膜施加激光束。

14.如权利要求13的方法，其中激光束在硅膜的一个区域上辐射四次。

15.如权利要求13的方法，其中第一、第二、第三和第四条由光遮蔽膜构成。

16.如权利要求13的方法，其中第一、第二、第三和第四条的宽度分别小于或等于第一、第二、第三和第四狭缝的宽度。

17.如权利要求13的方法，其中第二区设置在第一和第三区之间。

18.如权利要求13的方法，其中第三区设置在第一和第二区之间。

19.如权利要求13的方法，其中第三条在第一条的横向。

20.如权利要求13的方法，其中第四条在第二条的横向。

21.一种多晶硅膜，由在第一方向生长的晶体颗粒和在第二方向生长的晶体颗粒的图案构成，其中第一和第二方向是正交的，并且在第一方向生长的晶体颗粒和在第二方向生长的晶体颗粒拥有的共同颗粒边界。

22.如权利要求21的多晶硅膜，其中该膜至少包括硅。