[发明专利]基板处理方法及装置无效
申请号: | 02121655.X | 申请日: | 2002-05-30 |
公开(公告)号: | CN1388569A | 公开(公告)日: | 2003-01-01 |
发明(设计)人: | 大桥敏雄 | 申请(专利权)人: | 雅马哈株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧,马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种基板处理方法及装置,在夹住并按压保持被处理基板(10)的一组保持板(14、30)之间利用处理液或处理气体进行处理(洗净处理、干燥处理),此时,由O型密封圈等弹性部件(18、34)限定被处理基板的处理区域。处理液或处理气体通过设于各保持板上的球状凹部(16、32)的底部附近的孔供给、排出。另外,用洗净液或纯水作为处理液,用N2等惰性气体作为处理气体。还可应用于基于微波放电等离子体的等离子体蚀刻装置。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种基板处理方法,其中,对单侧的面上形成有凹部(16)并形成自该凹部的内部向外部连通的第一及第二孔(16a、16b)的保持板(14),配置围绕所述凹部形成闭环状的弹性部件(18),在将被处理基板(10)的主要面经由所述弹性部件对向配置在所述保持板的单侧的面上的状态下,将被处理基板按压保持在保持板上,从而在被处理基板的主要面上划定由弹性部件围绕的处理区域,经由所述第一孔将处理液或处理气体供给至所述凹部,使在该凹部流通的处理液或处理气体经由所述第二孔排出到外部,从而,用处理液或处理气体对所述被处理基板的处理区域进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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