[发明专利]基板处理方法及装置无效
申请号: | 02121655.X | 申请日: | 2002-05-30 |
公开(公告)号: | CN1388569A | 公开(公告)日: | 2003-01-01 |
发明(设计)人: | 大桥敏雄 | 申请(专利权)人: | 雅马哈株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧,马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及对半导体基板等基板进行洗净、干燥等处理的单张式基板处理方法及装置。
背景技术
现有单张式基板处理装置中图9所示的装置是公知的(例如参照特开平11-176787号公报)。
在图9的基板处理装置中,利用爪2a、2b的卡合保持被处理基板1的基板安放台2固定在旋转底座3的上面,该旋转底座3由中空旋转轴3a支承,旋转自如。基板安放台2沿基板1的外周形成闭环状,具有自该闭环的内侧连通外侧的孔2A、2B。
旋转底座3的下侧设有下盖4。另外,还设有上盖5,以覆盖基板1、旋转底座3及下盖4等。在上盖5和下盖4之间设有中间隔板6。该中间隔板6的内周部与基板安放台2的外周部组合构成迷宫式结构6a。利用该迷宫式结构6a基板安放台2可实现液体密封状态下的旋转。排出通路7形成于下盖4和中间隔板6之间,同样,排出通路8形成于上盖5和中间隔板6之间。上盖5具有供给管5a。
处理时,利用旋转轴3a使基板1旋转,同时,处理液自供给管5a供给到基板1的上面1a,自排出通路8排出。另外,处理液通过旋转轴3a的中空部供给到基板1的下面1b,自排出通路7排出。这样,可同时对基板1的上面1a及下面1b进行洗净处理。也可以根据需要只对上面1a或下面1b中的某一方进行规定的处理(例如蚀刻处理)。
如上所述,在现有技术中,由于是使处理液在被处理基板1的两面上自其中央部越过端面在广阔的区域流动的结构,故存在处理液的用量多的问题。另外,由于现有技术要使基板1旋转并设置中间隔板6及迷宫式结构6a,故还存在装置大型化的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题而开发的,其目的在于提供一种新型基板洗净方法,可降低处理液或处理气体的用量。另外,本发明的另一目的在于提供一种处理液或处理气体的用量少的小型基板处理装置。
在本发明的基板处理方法及装置中,是在夹住并按压保持被处理基板的一组保持板之间,由处理液或处理气体进行处理(洗净处理、干燥处理),此时,由O型密封圈等弹性部件限定被处理基板的处理区域。
与插入配置的被处理基板对应,在上下保持板上分别形成凹部,并围绕该凹部配置闭环状O型密封圈。也就是说,被处理基板两侧的主要面经O型密封圈被按压保持在上下保持板之间,由此限定处理区域。各凹部例如形成球状,其底部附近设有两个孔。也就是说,处理液或处理气体自一侧的孔供给到保持板的凹部内,在凹部内流过后,自另一侧的孔排出。由此,对被处理基板的各主要面进行处理液或处理气体进行的处理。具体地说,用洗净液或纯水作为处理液对被处理基板的主要面进行洗净处理,或用N2等惰性气体作为处理气体进行干燥处理。
上述情况下,可以仅处理被处理基板单侧的面,也可以同时处理两面。另外,处理范围不必限定于被处理基板的主要面,也可以以其端面等为处理对象。也就是说,设置盖部件,以覆盖按压保持被处理基板的保持板构成的重叠体,使其卡合部经闭环状O型密封圈按压在保持板的端面上。由此,沿被处理基板的端面形成闭环状流路,通过使处理液或处理气体在该闭环流路内流通,对被处理基板的端面及其附近部分进行处理。
上述中,也可以在被处理基板的单侧的主要面和与其相对配置的保持板之间设置多个间隔件,以取代O型密封圈。这种情况下,被处理基板的端面和间隔件侧的主要面也可以同时进行处理。
作为向被处理基板供给、排出处理液或处理气体的方法,不仅可通过设于各保持板凹部的孔进行供给、排出,还可以采用各种方法。例如,设置与保持板凹部的低部连通的孔,并在此处设置两种管。也就是说,可以通过一侧的管向配置在凹部内的喷嘴供给处理液或处理气体,自喷出口向被处理基板的主要面喷出供给处理液或处理气体,然后通过另一侧的管向外部排出。
另外,也可以通过适当使保持板等转动,提高处理效率或处理的均匀性。另外,本发明也可以容易地应用于利用微波放电进行的等离子蚀刻装置。
如上所述,本发明由于在对半导体基板等基板进行洗净、干燥等处理时,预先限定了处理区域,故可以降低处理液或处理气体的用量。
附图说明
图1是表示对本发明实施例1的单张式基板处理装置进行被处理基板的取放的状况的立体图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造