[发明专利]应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具有效
| 申请号： | 02120225.7 | 申请日： | 2002-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1459835A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 林永斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科 学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具，适用于四乙氧基硅烷工艺使氧化硅层均质化的方法，其中包括一内炉管上管治具，适用于将内炉管与外炉管作同轴对准。另外尚包括一标准程序，可以轻易的解决以四乙氧基硅烷工艺形成的氧化硅层的均匀度的问题，并可大幅提高工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 氧化 硅层均质 化工 上管治具 | ||
【主权项】：
1.一种应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具，其特征是，该治具至少包含：一支撑器；一定位器，位于该支撑器的上方并与该支撑器同轴；一第一控制器，可控制该支撑器作同心圆式的扩张或收缩；以及一第二控制器，可控制该定位器作同心圆式的扩张或收缩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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