[发明专利]热解氮化硼涂层基座

摘要

一种涉及半导体新型材料领域，用化学气相沉积技术生产的热解氮化硼涂层基座。是针对目前用MOCVD技术制取GaN外延片时，由于受NH3气腐蚀，使用寿命缩短，影响其质量而设计的。要点是PBN基座制作时是将高纯待涂层石墨基座放置在密闭容器中，置于载物台上，抽成1×10－2帕真空，通电经铜感应线圈感应，将石墨发热体加热至1600℃－2000℃的高温，在管道中分别通入BCI3气、NH3气，NH3/BCI3＝7.2－6.2L/4.8－4.2L；容内压力在2mmHg，保持一段时间停电，冷却至室温即可从容器中制备出PBN涂层石墨基座。它易加工、高纯度、气密性好，有良好的导热性和高温化学稳定性。是目前在有NH3气存在的条件下，MOCVD技术中最好的外延基座材料之一。

主权项

1、热解氮化硼涂层基座是用化学气相沉积技术生产新型材料---热解氮化硼(PBN)涂层基座，该涂层基座应用于MOCVD生长技术制备GaN及其相关化合物半导体材料，它包含有密闭容器(1)、待涂层石墨基座(2)、石墨发热体(3)、铜感应线圈(4)、BCI3管道(5)、NH3管道(6)、排气管道(7)、PBN涂层石墨基座(8)，其特征是PBN涂层基座制作时是将高纯待涂层石墨基座(2)放置在密闭容器(1)中，置于载物台上，抽成6×10-2帕真空，通电经铜感应线圈(4)感应，将石墨发热体(3)加热至1600℃-2000℃的高温，尔后在BCI3管道(5)中通入BCI3气，在NH3管道(6)中通入NH3气，其NH3/BCI3＝7.2-6.2L/4.8-4.2L；容内压力在2mmHg，保持一段时间停电，冷却至室温即可从容器中制备出PBN涂层石墨基座(8)。