[发明专利]用母掩模在中间掩模上形成IC芯片的图形用的曝光方法无效
| 申请号： | 02106195.5 | 申请日： | 2002-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1380584A | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 姜帅现;井上壮一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/16;G03F7/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种母掩模的制造方法,用于在被曝光体(2)上对具有能一次曝光的区域以上大小的图形进行曝光。将具有能一次曝光的区域以上大小的图形分割成重复性低的区域(4)、以及重复性高的区域(A)。其次,将上述重复性低的区域(4)的图形描绘在至少一个第一母掩模(1－5、1－6)上。将上述重复性高的区域(A)的图形描绘在至少一个第二母掩模(1－1～1－4)上。 | ||
| 搜索关键词： | 用母掩模 中间 掩模上 形成 ic 芯片 图形 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种母掩模的制造方法，用于在被曝光体上对具有能一次曝光的区域以上大小的图形进行曝光，其特征在于包括：将上述具有能一次曝光的区域以上大小的图形分割成重复性低的区域、以及重复性高的区域的步骤；将上述重复性低的区域的图形描绘在至少一个第一母掩模(1-5、1-6)上的步骤；以及将上述重复性高的区域的图形描绘在至少一个第二母掩模(1-1～1-4)上的步骤。
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