[发明专利]阻挡氢离子渗透的金属层间介电层的制造方法无效
| 申请号： | 02106107.6 | 申请日： | 2002-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1448998A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 曾铕寪;邱宏裕;周欣怡;周世良;徐富祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/473 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阻挡氢离子渗透的金属层间介电层的制造方法，该方法形成一折射系数(refractiveindex)为1.6－1.64的第一富硅氧化层于一填充氧化层上，然后再形成一折射系数为1.49－1.55的第二富硅氧化层于该第一富硅氧化层上。本发明所形成的包括有双层富硅氧化层的介电层，不仅具有阻挡氢离子的作用，而且将来在形成介层窗后而进行氩气电浆清洗过程时，不会有产生微粒子污染的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 氢离子 渗透 金属 层间介电层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻挡氢离子渗透的金属层间介电层(IMD)的制造方法，其特征在于，所述制造方法的步骤包括：(a)提供一基底，该基底上具有至少一金属导线；(b)形成一填充氧化层于该基底上，并覆盖该金属导线；(c)平坦化该填充氧化层表面；以及(d)形成一富硅氧化层于该填充氧化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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