[发明专利]平板显示器及其制造方法

摘要

一种平板显示器及其制造方法。显示器至少包括第一至第四薄膜晶体管。方法包括提供具有非显示区和显示区的衬底;在衬底上形成第一至第四薄膜晶体管的第一至第四半导体层;在衬底整个表面上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成第一至第四导电构图和像素电极;形成第一至第四栅电极和第五导电构图;在第一、三和四半导体层内离子注入第一导电类型的高密度杂质,形成第一导电类型的高密度源极和漏极区;将第一至第四栅电极用作蚀刻掩膜蚀刻第一至第四导电构图;形成光致抗蚀剂构图以暴露非显示区与第二半导体层对应的部分;第二半导体层内离子注入第二导电类型的高密度杂质以形成第二导电类型的高密度源极和漏极区。

主权项

1.一种制造平板显示器的方法，该显示器至少包括第一至第四薄膜晶体管，第一、第三和第四薄膜晶体管具有第一导电类型，第二薄膜晶体管具有第二导电类型，该方法包括：a)提供一具有非显示区和显示区的衬底，在该非显示区上形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在该显示区上形成有第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；b)在衬底上形成第一至第四薄膜晶体管的第一至第四半导体层；c)在衬底的整个第一表面上方形成栅极绝缘层；d)在栅极绝缘层上形成第一至第四导电构图和像素电极，第一至第四导电构图形成在第一至第四半导体层上方，像素电极形成在显示区的一部分上方；e)形成第一至第四栅电极和第五导电构图，第一至第四栅电极分别形成在第一至第四导电构图上，第五导电构图形成在像素电极上；f)在第一、第三和第四半导体层内离子注入第一导电类型的高密度杂质，以形成第一导电类型的高密度源极区和漏极区；g)将第一至第四栅电极用作蚀刻掩膜，来蚀刻第一至第四导电构图；h)形成光致抗蚀剂构图，以暴露非显示区的与第二半导体层对应的部分；以及i)在第二半导体层内离子注入第二导电类型的高密度杂质，以形成第二导电类型的高密度源极区和漏极区。