[发明专利]利用表面活化剂对自旋阀改性的方法无效
| 申请号： | 02103674.8 | 申请日： | 2002-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1141743C | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 朱逢吾;于广华;赖武彦;滕蛟 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 杨玲莉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法，涉及巨磁电阻多层膜的制备方法。本方法是将清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/镍铁NiFe(60～100)/铜Cu(23～30)/Bi(2～30)/镍铁NiFe(35～60)/铁锰FeMn(70～150)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi插入自旋阀巨磁电阻多层膜膜中，其交换耦合场Hex比不插Bi的自旋阀的交换耦合场Hex明显提高，最大可达60％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 表面 活化剂 自旋 改性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法，在磁控溅射仪中，在清洗干 净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积Ta、NiFe、Cu、Bi、NiFe、FeMn、Ta，其特 征在于，沉积的顺序依次是50～120钽Ta、60～100镍铁NiFe、23～30铜 Cu、2～30铋Bi、35～60镍铁NiFe、70～150铁锰FeMn和50～90钽Ta。
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