[发明专利]集成电路之制造方法有效
| 申请号： | 02103514.8 | 申请日： | 2002-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1437246A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 梁孟松;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种集成电路之制造方法，各设计一种前端制程区及后端制程区，分别设置两种制程之设备，再将半导体集成电路分开在前端制程区及后端制程区的两基底上制作，之后再将两者接合，而完成一集成电路芯片制造。根据本发明，一种集成电路之制造方法，包括下列步骤：提供一第一半导体基底，在此第一半导体基底上形成包含至少一被绝缘隔离之闸极结构、源极/汲极的晶体管，其中，此闸极结构及源极/汲极上，各具有一钨接触插塞；提供一第二半导体基底，在此第二半导体基底上依序形成一钝态护层及一被绝缘隔离之内连导线层；将此第一半导体基底及此第二半导体基底接合，其中，此闸极结构、源极/汲极之接触插塞分别与各个内连导线形成接合面；去除此第二半导体基底之基底部分；以及在此钝态护层内形成焊接垫连接开口。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路之制造方法，其特征在于包括下列步骤：提供一前端制程区及一后端制程区，分别设置两种制程之设备；将一半导体集成电路分开在该前端制程区及该后端制程区的之各基底上制作；将该前端制程区及该后端制程区所制造完成之两基底接合，以完成一集成电路芯片制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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