[发明专利]以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法有效
| 申请号： | 02102710.2 | 申请日： | 2002-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1434487A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 骆统;林经祥;黄燿林 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法。先以软性含氮等离子体来氮化基底的表面以进行预氮化步骤，在此步骤中使用软性含氮等离子体以氮化基底的表面。此软性含氮等离子体的等离子体密度约为109－1013cm－3。再对基底进行热氧化步骤，将基底的表面氧化以形成超薄栅介电层于基底的表面上。本发明利用软性含氮等离子体先均匀地氮化基底表面以控制后续所形成氧化层的厚度。此方法可避免现有以离子注入法将氮离子直接注入基底时，对基底造成表面结构损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 软性 等离子体 形成 超薄 栅介电层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法，该方法至少包括：进行一预氮化步骤，使用一软性含氮等离子体以氮化一基底的表面，该软性含氮等离子体的等离子体密度为109-1013cm-3；以及进行一热氧化步骤，将该基底的表面氧化以形成一栅介电层于该基底的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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