[发明专利]去除多晶硅残留的方法有效
| 申请号： | 02102709.9 | 申请日： | 2002-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1434485A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 苏俊联;王俊淇;陈铭祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种去除多晶硅残留的方法，利用两阶段步骤达到将多晶硅转化成氮化硅的目的。首先以斜向离子注入法在多晶硅残留中注入氮离子，使多晶硅残留中富含氮离子，接着进行氮退火使富含氮离子的多晶硅残留完全转化成氮化硅，以降低多晶硅的导电性，而且不会有传统上氧侵蚀的问题发生。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 多晶 残留 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除多晶硅残留的方法，适用于侧壁上的多晶硅残留，该方法至少包括下列步骤：进行一斜向离子注入步骤，在侧壁上的该多晶硅残留中注入氮离子；以及进行一氮退火步骤，使该多晶硅残留完全转化成氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
