[发明专利]在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法有效
| 申请号： | 02101551.1 | 申请日： | 2002-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1431688A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 傅焕松;谢永明;罗仕洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法，于同一反应室中进行氮化硅层和氮氧化硅层的沉积，其方法首先将NH3和SiH2Cl2导入反应室中以低压化学气相沉积法沉积氮化硅层于晶片上，待氮化硅层完成后，接着，将N2O导入反应室中，以低压化学气相沉积法沉积氮氧化硅层于氮化硅层上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 硅层上 形成 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法，其特征是，包括：将一晶片移至一反应室；将NH3和SiH2Cl2导入该反应室中，以低压化学气相沉积法沉积一氮化硅层于该晶片上；以及将N2O导入该反应室中，以低压化学气相沉积法沉积一氮氧化硅层于该氮化硅层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
