[发明专利]对准方法及装置无效
申请号: | 01822139.4 | 申请日: | 2001-09-06 |
公开(公告)号: | CN1486507A | 公开(公告)日: | 2004-03-31 |
发明(设计)人: | 山内朗;上西孝史 | 申请(专利权)人: | 东丽工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种对准方法和装置,调整第一被键合物与有被覆材料的第二被键合物之间的相对位置时,用识别装置识别第一被键合物的标记的位置,同时以该识别位置为基准,在与第二被键合物的被覆材料外侧的区域对应的位置上,在画面上显示代表第一被键合物的位置的基准标记,用识别装置识别附加在第二被键合物的被覆材料外侧的第二被键合物的标记的位置,同时在上述画面上显示该识别位置,校正第二被键合物的位置,以便第二被键合物的标记的位置相对于基准标记的位置进入容许精度内。 | ||
搜索关键词: | 对准 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种对准方法,其特征在于:调整第一被键合物与有被覆材料的第二被键合物之间的相对位置时,用识别装置识别第一被键合物的对位标记的位置,同时以该识别位置为基准,在与第二被键合物的被覆材料外侧的区域对应的位置上,在画面上显示代表第一被键合物的位置的基准标记,用识别装置识别附加在第二被键合物的被覆材料外侧的第二被键合物的对位标记的位置,同时在上述画面上显示该识别位置,校正第二被键合物的位置,以便第二被键合物的对位标记的位置相对于上述基准标记的位置进入预定的容许精度内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽工程株式会社,未经东丽工程株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01822139.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造