[发明专利]作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的超低介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件

摘要

在此公开利用化学汽相淀积(“PECVD”)处理在平行板化学汽相淀积处理中制造包括Si、C、O和H原子的热稳定超低介电常数膜的方法。进一步公开通过该方法制备的包含热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子设备。为了能够制造热稳定超低介电常数材料，使用特定的前驱物材料，例如环硅氧烷和例如四甲基环四硅氧烷和环戊烯氧化物这样包含环状结构的有机分子。为了稳定在PECVD反应器中的等离子体，从而提高淀积膜的均匀性，CO₂被添加到TMCTS中作为运载气体，环状CO₂或CO₂和O₂的混合物被添加到PECVD中。

主权项

1.一种用于制造热稳定超低介电常数膜的方法包括如下步骤：提供一个等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)反应器；把一个基片放置在所述PECVD反应器中；把包括环硅氧烷分子的第一前驱气体流到所述PECVD反应器中；把至少包括具有C、H和O原子的环状结构的有机分子的第二前驱气体流到所述PECVD反应器中；在所述基片上淀积包括Si、C、O和H以及多个纳米尺寸孔的薄膜。