[发明专利]纳米电子电路的制造无效
| 申请号： | 01814961.8 | 申请日： | 2001-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1449510A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 罗尔夫勃伦纳;蒂罗马克思布勒;罗伯特格莱汉姆克拉克;安德鲁史蒂夫德祖瑞克;亚历山大鲁道夫哈密尔顿;南希爱琳伦普金;瑞达帕蒂萨米金侬 | 申请（专利权）人： | 尤尼瑟驰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/266;H01L21/3105;G01N1/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王琦 |
| 地址： | 澳大利亚新南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用一个或多于一个的抗蚀剂层涂覆一个硅基片。顺序曝光第一和第二电路图形，其中第二图形与第一图形交迭。对图形化抗蚀剂层进行显影，以打开仅在图形相互交迭位置向下延伸到基片的孔。这些孔提供了适用于将单个磷离子注入到用于固态量子计算机的基片中的掩模。抗蚀剂层的进一步显影提供了一个用于对准磷离子的诸如单电子晶体管的纳米电子电路的沉积的掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电子电路 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造纳米电子电路的方法，包括如下步骤：用一个或多于一个的抗蚀剂层涂覆一个半导体基片；将一个第一电路图形曝光到一个或多于一个的抗蚀剂层中；将一个第二电路图形曝光到该抗蚀剂层中，从而使这个图形与前面曝光的图形交迭；和显影图形化的抗蚀剂层，以打开通过它们的仅在图形相互交迭之处向下延伸到半导体基片表面的孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尤尼瑟驰有限公司，未经尤尼瑟驰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01814961.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：时钟脉冲产生器,特别是用于USB装置
- 下一篇：层压制品和由其制作的包装容器
