[发明专利]半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 01814472.1 | 申请日： | 2001-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1628388A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 斯里坎斯·B.·萨马佛弗达姆;飞利浦·J.·托斌;小威廉·J.·泰勒 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28;H01L29/94 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件(10)具有覆盖绝缘层(14)的导体，并且具有第一导电部分(20)、第二导电部分(30)以及第三导电部分(40)。第二导电部分(30)位于第一(20)和第三导电部分(40)之间。第一导电部分(20)具有第一元素，并且第三导电部分(40)包括一种金属和硅，而没有大量的第一元素。该导体可以是一个栅极或电容电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其中包括：覆盖基片的绝缘层；以及覆盖该绝缘层的导体，其中：该导体包括第一导电部分、第二导电部分和第三导电部分；第二导电部分位于第一和第三导电部分之间；第一导电部分包括第一元素；以及第三导电部分包括一种金属和硅，而没有大量的第一元素。
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