[发明专利]被处理体的保持装置有效
申请号: | 01811344.3 | 申请日: | 2001-07-13 |
公开(公告)号: | CN1437764A | 公开(公告)日: | 2003-08-20 |
发明(设计)人: | 舆石公;桧森慎司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/205;H01L21/302 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳,张英光 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的被处理体的保持装置具有:基座本体,第一电介质膜和第二电介质膜。该基座本体为凸台形状,由放置在等离子体处理装置内并保持所放置的被处理体的保持部,和设置在用于嵌入聚焦环的保持部的外周边缘上的凸缘构成。该第一电介质膜利用库仑力将放在上述保持部上的被处理体吸附在基座本体上。该第二电介质膜利用约翰逊-拉贝克力,借助比上述第一电介质膜强的吸附力,将放置在上述凸缘上的上述聚焦环吸附在基座本体上。本装置增大了聚焦环在基座本体上的静电吸附力,提高了冷却效果,并且在聚焦环附近的等离子体处理特性不会随时间改变,可以均匀地处理整个被处理体。 | ||
搜索关键词: | 处理 保持 装置 | ||
【主权项】:
1.一种被处理体的保持装置,其中,包括:具有放置被处理体的载置面且内装冷却装置的基座本体;配置在所述基座本体的所述载置面的外周边缘的聚焦环;设在所述基座本体的载置面上,用于吸附所述被处理体的第一静电吸附部件;以及设在所述基座本体的所述外周边缘上,用于以大于所述第一静电吸附部件上的静电吸附所述聚焦环的第二静电吸附部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01811344.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:车辆制动力控制装置及其控制方法
- 下一篇:低碳易切钢
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造