[发明专利]被处理体的保持装置有效

专利信息
申请号: 01811344.3 申请日: 2001-07-13
公开(公告)号: CN1437764A 公开(公告)日: 2003-08-20
发明(设计)人: 舆石公;桧森慎司 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/205;H01L21/302
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳,张英光
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的被处理体的保持装置具有:基座本体,第一电介质膜和第二电介质膜。该基座本体为凸台形状,由放置在等离子体处理装置内并保持所放置的被处理体的保持部,和设置在用于嵌入聚焦环的保持部的外周边缘上的凸缘构成。该第一电介质膜利用库仑力将放在上述保持部上的被处理体吸附在基座本体上。该第二电介质膜利用约翰逊-拉贝克力,借助比上述第一电介质膜强的吸附力,将放置在上述凸缘上的上述聚焦环吸附在基座本体上。本装置增大了聚焦环在基座本体上的静电吸附力,提高了冷却效果,并且在聚焦环附近的等离子体处理特性不会随时间改变,可以均匀地处理整个被处理体。
搜索关键词: 处理 保持 装置
【主权项】:
1.一种被处理体的保持装置,其中,包括:具有放置被处理体的载置面且内装冷却装置的基座本体;配置在所述基座本体的所述载置面的外周边缘的聚焦环;设在所述基座本体的载置面上,用于吸附所述被处理体的第一静电吸附部件;以及设在所述基座本体的所述外周边缘上,用于以大于所述第一静电吸附部件上的静电吸附所述聚焦环的第二静电吸附部件。
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