[发明专利]减少闪存中X译码器电容性负载以精确字符线和选择线的电压控制的方法

摘要

一种用于降低在闪存X－译码器内的电容负载以便精确控制在选择字符线和区块选择线上的电压的装置和方法。译码结构(18)分别提供第一升压电压给字符线N－井区及提供第二升压电压给选择字符线，以便降低在选择字符线上由于与字符线N－井区相关的大电容负载所导致的电容负载。该译码结构更分别提供第三升压电压给选择栅极N－井区及提供第四升压电压给选择区块选择线，以便降低在选择区块选择线上由于与选择栅极N－井区相关的大电容负载所导致的电容负载。因此，因为其电容负载的路径非常小，可在选择字符线上快速产生精确的电压。

主权项

1.一种包含闪存EEPROM内存单元数组的半导体内存装置，其改进包括结合了用于降低电容负载的译码结构，以便精确控制在选择字符线和区块选择线上的电压，其特征在于，该装置包括有：内存数组，具有划分成多个区段的多个内存核心单元，每个区段均具有排列成数列字符线及与此数列字符线交叉的数行位线的内存核心单元；第一升压电路装置，在读取模式的操作期间产生较电源供应电位高的用于驱动字符线N-井区的第一升压电压及较电源供应电位高的用于驱动选择字符线的第二升压电压；第二升压电路装置，产生较电源供应电位高的用于驱动选择栅极N-井区的第三升压电压及较电源供应电位高的用于驱动区块选择线的第四升压电压；译码结构，包含有字符线译码装置，它响应该第一和第二升压电压而分别提供该第一升压电压给字符线N-井区及提供该第二升压给选择字符线，以便降低在选择字符线上由于与字符线N-井区相关的大电容负载所导致的电容负载；以及该译码结构更包含选择栅极译码装置，响应该第三和第四升压电压而分别提供该第三升压电压给选择栅极N-井区及提供该第四升压电压给选择区块选择线，以便降低在选择区块选择线上由于与选择栅极N-井区相关的大电容负载所导致的电容负载。