[发明专利]沉积金属和金属氧化物膜以及图案薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 01808682.9 申请日: 2001-04-27
公开(公告)号: CN1439060A 公开(公告)日: 2003-08-27
发明(设计)人: R·H·希尔;石有茂 申请(专利权)人: EKC技术公司
主分类号: C23C18/14 分类号: C23C18/14
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 沙捷
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及不含光刻胶的由金属配合物沉积金属,如铜,或其氧化物膜的方法。更具体地,该方法包含将金属配合物的非晶膜涂敷在衬底上。该金属配合物具有通式MfLgXh,其中,M选自Ti、V、Cr、Au、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Si、Sn、Li、Na、K、Ba、Sr、Mo、Ru、Pd、Pt、Re、Ir和Os;L是如通式(R2NCR2'CO)的配位体,其中R,R’均独立选自H、CnHm和CnHmAxBy,其中A和B均独立选自主族元素;f、g、h、n、m、x和y代表整数;X是阴离子并独立选自N3、NCO、NO3、NO2、Cl、Br、I、CN、OH、H、CH3。通过例如热、光化学或电子束的辐射,这些膜可转化成金属或其氧化物。利用直射光或电子束,通过一步即可形成带图案的金属或金属氧化物膜。
搜索关键词: 沉积 金属 氧化物 以及 图案 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种在衬底上制备含金属材料的图案薄膜的方法,包括:a).将通式为MfLgXh的金属前体配合物的非晶膜涂敷在衬底上,其中,M选自Ti、V、Cr、Au、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Si、Sn、Li、Na、K、Ba、Sr、Mo、Ru、Pd、Pt、Re、Ir和Os;L是如通式(R2NCR2’CO)的配位体,其中R,R’均独立选自H、CnHm和CnHmAxBy,其中A和B均独立选自主族元素;f、g、h、n、m、x和y代表整数;X是阴离子并独立选自N3、NCO、NO3、NO2、Cl、Br、I、CN、OH、H、CH3;和b).辐射所述非晶膜以使所述金属配合物进行反应,该反应将所述金属配合物转化成粘合在所述衬底上的含金属材料。
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