[发明专利]离子质量分离方法及装置、以及离子掺加装置有效

专利信息
申请号: 01808240.8 申请日: 2001-12-27
公开(公告)号: CN1425186A 公开(公告)日: 2003-06-18
发明(设计)人: 桑原一 申请(专利权)人: 石川岛播磨重工业株式会社
主分类号: H01J37/05 分类号: H01J37/05;H01J37/317;H01J49/30;H01L21/265
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 温大鹏,杨松龄
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 利用空芯励磁电流路(21)而在离子偏转箱的内部于宽度方向形成均匀强度的磁场,该空芯励磁电流路(21)是由:在具有入口部及出口部并弯曲的离子偏转箱的外部、按照经过入口部以及出口部的弯曲形状而在宽度方向螺旋状卷绕导体(20)而形成,将离子束通过入口部的导体(20c)之间而导入空芯励磁电流路的内部,由于空芯励磁电流路的磁场的作用而使离子束根据离子的质量而弯曲,把所希望质量的离子束通过出口部的导体(20d)而取出,由此而能够均匀地离子质量分离大口径的离子束。
搜索关键词: 离子 质量 分离 方法 装置 以及
【主权项】:
1.一种离子质量分离方法,其特征在于:利用空芯励磁电流路而在离子偏转箱的内部于宽度方向形成均匀强度的磁场,该空芯励磁电流路是由:在具有入口部及出口部并弯曲的离子偏转箱的外部、按照经过入口部以及出口部的弯曲形状而在宽度方向螺旋状卷绕导体而形成,将离子束通过入口部的导体之间而导入离子偏转箱17的内部,由于空芯励磁电流路的磁场的作用而使离子束根据离子的质量而弯曲,把所希望质量的离子束从出口部通过导体间而取出。
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