[发明专利]具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管无效
| 申请号： | 01806740.9 | 申请日： | 2001-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1428007A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 石甫渊;苏根政;崔炎曼 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉,张天舒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种沟槽型DMOS晶体管单元，它是在第一种导电类型的衬底上形成的。具有第二种导电类型的体区位于衬底上。至少一个沟槽通过体区和衬底延伸。一个绝缘层镶衬沟槽。该绝缘层包括在一个界面上相互接触的第一和第二个部分。绝缘层的第一部分的层面的厚度比第二部分大。界面的深度位于体区下边界之上。在沟槽里形成一个导电电极，使它覆盖在绝缘层之上。在与沟槽相邻的体区里形成第一种导电类型的源区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 结构 沟槽 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型DMOS晶体管单元，包括：一个第一种导电类型的衬底；一个在衬底上的体区，所述体区具有第二种导电类型；至少一个通过体区和衬底延伸的沟槽；一个镶衬沟槽的绝缘层，所述绝缘层包括在一个界面上相互接触的第一和第二个部分，所述第一部分的层面厚度比第二部分厚，所述界面的深度位于体区下边界之上；沟槽上的一个导电电极覆盖在绝缘层上；以及第一种导电类型的源区在和沟槽相邻的体区里。
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