[发明专利]非挥发性内存装置用的双重间隔器方法有效
| 申请号： | 01806324.1 | 申请日： | 2001-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1421046A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杰弗瑞·A·雪德斯;杜汪·D·帕;马克·T·拉姆斯拜;孙禹;A·T·会;M·C·甄 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在非挥发内存装置(1)的双重间隔器(two－stepspacer)的制造程序中，先在晶圆基体(3)上沉积一层薄的氧化层(12)，而在非挥发性内存装置(1)的核心部位(24)中留下一间隙，使得经由此间隙完成植入及/或达成氧化物－氮化物－氧化物去除作业。在植入后，沉积第二间隔器(13)。在沉积第二间隔器后，执行周边间隔器蚀刻。应用上述说明的方法，形成一间隔器。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 内存 装置 双重 间隔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成间隔器的方法，包含：在核心部位的多晶硅线及周边区域沉积氧化物层；在该核心部位及周边区域执行第一间隔器；在核心部位区域的多晶硅线之间所定位的区域施行离子的植入；将第二氧化物层作用在该核心部位及周边区域上；以及在周边区域上执行第二间隔器蚀刻，其中产生核心部位及周边区域，使得两者的外观存在差异。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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