[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

申请号：	01805820.5	申请日：	2001-01-31
公开（公告）号：	CN1406393A	公开（公告）日：	2003-03-26
发明（设计）人：	王晓东;迈克尔·P·伍;克雷格·S·拉格;田宏	申请（专利权）人：	摩托罗拉公司
主分类号：	H01L21/761	分类号：	H01L21/761;H01L21/762;H01L21/265
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	王永刚
地址：	美国伊***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	公开了一种半导体器件和它的制造方法。该方法包括在半导体衬底(100)中形成第一阱区域(104)。半导体衬底(100)包括一个处于第一阱区域(104)下面的第一掺杂区域(102)。第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)掺了第一类型掺杂物，并且第一阱区域(104)与第一掺杂区域(102)保持电连接。在第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)之间形成一绝缘区域(206)。绝缘区域(206)与第二阱区域(404)保持电连接。绝缘区域(206)和第二阱区域(404)掺了第二类型掺杂物。第一类型掺杂物与第二类型掺杂物相反。在一个实施方案中，第一类型掺杂物包括p型掺杂物，而第二类型掺杂物包括n型掺杂物。该方法可以进一步包括，在第一阱区域(104)中低于绝缘区域(206)的地方形成第二掺杂区域(310)。可以在绝缘区域(206)的上面形成第一类型掺杂剂的第三掺杂区域(312)。该方法可以进一步包括在半导体衬底(100)上形成栅结构(504)，邻近栅结构(504)形成源/漏区(604)并且在栅极结构(504)和源/漏区域(604)下面形成保护电荷再结合区域(610)。
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
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【主权项】：

1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底(100)中形成第一阱区域(104)，在半导体衬底(100)中位于第一阱区域(104)下面的地方具有第一掺杂区域(102)，其中第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)包括从一种p型掺杂剂和一种n型掺杂剂组成的组中选出来的第一类型掺杂剂，其中第一阱区域(104)与第一掺杂区(102)电连接；并且在第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)之间形成绝缘区域(206)，绝缘区域(206)与第二阱区域(404)电连接，其中绝缘区域(206)和第二阱区域(404)包括来源于第二类型掺杂剂的掺杂剂，并且第二类型掺杂剂与第一类型掺杂剂相反。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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