[发明专利]性能改善的双扩散金属氧化物半导体的晶体管结构有效
| 申请号： | 01805807.8 | 申请日： | 2001-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1416597A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 石甫渊;苏根政;崔炎曼 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张天舒,谢丽娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种凹槽DMOS晶体管结构，其包括至少三个在第一导电型的衬底上形成的独立凹槽DMOS晶体管单元。多个独立DMOS晶体管单元被分为外围晶体管单元和内部晶体管单元。每个独立晶体管单元包含位于衬底上的第二导电型体区。至少有一条凹槽延伸穿过体区和衬底。绝缘层与凹槽对齐。凹槽中有一设在绝缘层上的导电电极。每个内部晶体管单元(不是外围晶体管单元)还包括第一导电型的源区，其位于与凹槽相邻的体区中。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 改善 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种凹槽DMOS晶体管结构，该结构包括在具有第一导电型衬底上形成的至少三个独立凹槽DMOS晶体管单元，所述多个独立DMOS晶体管单元被分为外围晶体管单元和内部晶体管单元，每个所述独立晶体管单元包括：位于衬底上的体区，所述体区具有第二种导电类型；至少一条凹槽延伸穿过体区和衬底；绝缘层与凹槽排齐；导电电极，在凹槽中设在绝缘层上；以及其中，每个所述内部晶体管单元而不是所述外围晶体管单元，还包括在接近所述凹槽的体区中的具有第一导电类型的源区。
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