[发明专利]电元件的封装和制造方法有效
| 申请号： | 01805044.1 | 申请日： | 2001-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1401136A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | W·帕尔;W·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H03H9/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 蔡民军,赵辛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及敏感的元件结构(2)的封装，这类元件结构用一个由光敏反应树脂制成的框架结构(6)包封，并在敷设一层辅助薄膜(7)后，该反应树脂用另一层刻蚀的反应树脂层(8)覆盖。例如通过蚀刻印制或光刻可在框架结构(6)上制出匹配的顶盖结构(10)。外露的辅助薄膜(7)的残余部分被溶解掉或腐蚀掉。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.根据电元件的敏感的元件结构(2)选择的封装方法包括如下步骤：-在具有敏感元件结构的元件衬底(1)的表面上进行整个面积的离心涂覆第一层液态的光敏反应树脂层(3)；-进行这个第一反应树脂层的按图像的曝光和显影，其中一个包封元件结构(2)的框架结构(6)保留下来；-在衬底(1)的整个框架结构(6)上绷紧一层辅助薄膜(7)；-在框架结构(6)的上方范围内的该辅助薄膜的表面上这样产生第二蚀刻的反应树脂层，即保留用框架(6)覆盖的并与之共同构成一个空腔的顶盖结构(10)；-去掉顶盖结构(10)之间的外露区域内的辅助薄膜(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
