[发明专利]薄膜形成方法、具有薄膜的物品、光学膜、介电体覆盖电极及等离子体放电处理装置有效
| 申请号： | 01804728.9 | 申请日： | 2001-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1398305A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 福田和浩;近藤庆和;村上隆;岩丸俊一;村松由海;辻稔夫 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;G02B1/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜形成方法，其特征在于通过在大气压或大气压附近的压力下，在对置的两种电极之间，以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 具有 物品 光学 介电体 覆盖 电极 等离子体 放电 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成方法，其特征在于：通过在大气压或大气压附近的压力下，在对置的两种电极之间，以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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