[发明专利]形成金属布线的方法和用于形成金属布线的半导体制造设备无效
| 申请号： | 01803734.8 | 申请日： | 2001-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1395743A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 山崎英亮;立花光博;大久保和哉;铃木健二;河野有美子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种金属膜形成方法，包括步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空－排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 布线 方法 用于 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
1.一种金属膜形成方法，包括以下步骤：(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种所述气体包括金属；和(b)(s14，s16)在分别输送步骤(a)的所述原料气体之后，对步骤(a)的该原料气体抽真空-排放或用其它种类气体替换步骤(a)的该原料气体，由此在所述基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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