[发明专利]制造肖特基变容二极管的方法

摘要

一种制造肖特基变容二极管(25)的方法,包括(a)在半导体衬底(1)上提供一外延层(12);(b)提供一绝缘层,该绝缘层包括在外延层(12)表面预定区域上的氧化物层和氮化物层;(c)淀积一多晶硅层(6);(d)施加第一高温步骤扩散围绕第一预定区域的保护环(10);(e)除去多晶硅层(6)的预定部分露出第一氮化硅膜(5);(f)将原子注入穿过至少第一氧化物膜(4)提供预定的变容二极管掺杂轮廓;(g)施加第二高温步骤退火并激活变容二极管掺杂轮廓;(h)除去第一氧化物膜(4)提供露出的区域;(i)在露出的区域上提供肖特基电极(17)。

主权项

1.采用下列步骤制造肖特基变容二极管(25)的一种方法：(a)在半导体衬底(1)上提供一外延层(12)，该外延层(12)有一上表面并具有第一导电类型；(b)提供一绝缘层，并将该绝缘层形成图案以便在所述外延层(12)的所述表面的预定区域上提供一绝缘膜，所述绝缘膜包括在所述预定区域上与外延膜(12)接触的氧化物膜(4)和在该氧化物膜(4)上的氮化硅膜(5)；(c)淀积第二导电类型的多晶硅层(6)；(d)施加第一高温步骤以所述第二导电类型的保护环(10)扩散进入围绕所述第一预定区域的外延层(12)；(e)除去所述多晶硅层(6)的预定部分露出所述第一氮化硅膜(5)；(f)将原子穿过至少所述第一氧化物膜(4)注入以向所述外延层提供预定的变容二极管掺杂轮廓；(g)施加第二高温步骤以退火并激活所述变容二极管掺杂轮廓；(h)除去所述第一氧化物膜(4)以提供具有预定变容二极管掺杂轮廓的所述外延层(12)的所述上表面露出的区域；(i)在所述露出的区域上提供肖特基电极(17)。