[实用新型]一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置无效
| 申请号: | 01255190.2 | 申请日: | 2001-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN2509711Y | 公开(公告)日: | 2002-09-04 |
| 发明(设计)人: | 王正官 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种制备红外焦平面器件的工艺设备,具体是指一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置。包括加热块、样品架、卤素灯和温控仪等。特点是卤素灯置于加热块下部内孔中,待处理的样品通过样品架置于加热块上部腔体内,卤素灯由温控仪控制加热,使加热块上部腔体内均匀地达到一定温度,样品在助熔剂的帮助下铟柱就熔融,熔融的铟柱在氢气保护下不氧化,结构变得致密,改善了铟柱与电极的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 红外 平面 器件 电极 熔融 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置,包括:加热块(3)、样品架(5)、卤素灯(7)、盖子(2)、保温层(4)、显微镜(1)和温控仪(10),其特征在于:加热块(3)是一块导热性相当好的圆柱形金属块,其轴线方向上端中央呈腔体状(301)、下端中央有一圆柱孔(302);上端中央腔体(301)内置有样品架(5),待处理的样品(6)置于样品架内,在腔体(301)的底部边上有一输气管道(8),腔体内侧面置有温度传感器(9),温度传感器通过导线与外界温控仪(10)连接;下端中央圆柱孔(302)内置有卤素灯(7),加载在卤素灯上的电压由温控仪(10)控制;在腔体上面盖有带透明玻璃窗口(201)的盖子(2),盖子侧面有一使腔体维持流动氢气下的排气嘴(202);盖子窗口上置有观察样品的显微镜(1)加热块外裹有保温层(11)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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