[实用新型]一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置无效
| 申请号: | 01255190.2 | 申请日: | 2001-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN2509711Y | 公开(公告)日: | 2002-09-04 |
| 发明(设计)人: | 王正官 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 红外 平面 器件 电极 熔融 处理 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种制备红外焦平面器件的工艺设备,具体是指一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置。
背景技术
红外焦平面器件电极铟柱是器件芯片与读出电路互联的介质,要求在每个像元电极区都必需制备铟柱。由于器件集成度高,要求像元电极区的铟柱做得极小,并与电极接触良好。目前工艺制备出的铟柱存在结构疏松、外周毛刺多、与像元电极接触不牢靠等缺点,与读出电路互联后,造成诸多像元读出信号不均匀或产生盲元或信号串音。
发明内容
基于上述已有工艺制备出的铟柱存在的这些问题,本实用新型提供一种能改善原有铟柱质量的熔融处理装置,通过这个装置对铟柱的处理,可克服原来铟柱存在的结构疏松、外周毛刺多等缺点。
一种用于红外焦平面器件电极铟柱的熔融处理装置包括:加热块3、样品架5、卤素灯7、盖子2、保温层4、显微镜1和温控仪10。加热块是一块导热性相当好的圆柱形金属块,其轴线方向上端中央呈腔体状301、下端中央有一圆柱孔302。上端中央腔体301内置有样品架5,待处理的样品6置于样品架内,在腔体301的底部有一输气管道8,腔体内侧面置有温度传感器9,温度传感器通过导线与外界温控仪10连接。下端中央圆柱孔302内置有卤素灯7,加载在卤素灯上的电压由温控仪控制。在腔体上面盖有带透明玻璃窗口201的盖子2,盖子侧面有一使腔体维持流动氢气下的排气嘴202。盖子窗口上置有观察样品的显微镜1。加热块外裹有保温层11。
当卤素灯电极上加一定电压,卤素灯发热,热量通过加热块传到腔体内,腔体内的样品得到加温,样品上涂有助焊剂,温度达到一定时,样品上的铟柱就熔融。通过熔融,铟柱变成铟珠状,结构变得致密,与下面的电极形成浸润,增强与电极的欧姆接触。腔体温度可通过温度传感器测量,并送到温控仪,由温控仪调节卤素灯上的电流,保证腔体内温度稳定。氢气通过输气管输入腔体,使熔融铟柱得到保护,免于氧化。腔体盖子带有透明玻璃窗口,可以通过显微镜监察铟柱熔融情况。
经上述结构的熔融处理装置处理过的电极铟柱从根本上克服了原有铟柱存在的缺点,提高器件的成品率。而且本装置结构简单,易于实现,操作方便,性能稳定,可靠性好。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是样品架立体图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的详细说明,见图1。
加热块3是本实用新型的核心部件,由紫铜材料制成,呈圆柱型,其轴线方向上端外部加工有小台阶304,使盖子3与小台阶外圆呈松动配合,便于盖子打开与盖闭。轴线方向上端内部加工成一定壁厚的腔体301,腔体底部加工成一个呈45度斜坡的圆锥平底孔303为样品架定位用,保证样品处于腔体底部中间,轴线方向下端中央加工有一放卤素灯的圆柱孔302。
样品架5用导热性能较好的金属材料制成,如图2所示,呈花篮状,它的特征在于:圆盆状的篮底501两侧垂直伸起两个窄长手柄502。样品6被载入篮底,提着两个手柄502可以方便地把样品6放入腔体301底部,也可以方便地把样品从腔体内取出。窄长形手柄502能有效地使样品暴露在腔体空间,有利于腔体内的氢气保护样品。样品架5放入腔体底部,定位于腔体底部圆锥平底孔303内,其底面直接和腔体底部接触,所以样品架5底面要求平正,与腔体底部保持良好接触。
加热块3轴线下部中央的圆柱孔302中装置钨卤素灯7作为加热器,这样结构能有效地把钨卤素灯7放出的热量传递给加热块3。卤素灯加热器结构紧凑发热稳定可靠性好。卤素灯7电流由温控仪10控制,温度传感器9置于腔体301内,直接测出腔体温度,送到温控仪10,温控仪经调节把一定电流加到卤素灯7上,保证腔体301内温度稳定,同时显示当前温度。
加热块3外裹有保温层4,相当厚的保温层由上框401、下框402、外框403组成的框架裹住,使腔内温度更加稳定。
盖子2的侧向螺接排气嘴202,使腔体处于流动的氢气状态下工作,腔体上盖有盖子,使腔体内温度更趋于稳定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





